casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP32D9UFZ-7B
codice articolo del costruttore | DMP32D9UFZ-7B |
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Numero di parte futuro | FT-DMP32D9UFZ-7B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP32D9UFZ-7B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 22.5pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 390mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN0606-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP32D9UFZ-7B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP32D9UFZ-7B-FT |
DMP3018SFK-13
Diodes Incorporated
DMP3017SFK-7
Diodes Incorporated
DMS2220LFDB-7
Diodes Incorporated
DMP6110SFDF-7
Diodes Incorporated
DMT3020LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2022UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT2004UFDF-7
Diodes Incorporated
DMN2028UFDF-7
Diodes Incorporated
DMT5015LFDF-7
Diodes Incorporated
DMN3021LFDF-7
Diodes Incorporated
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel