codice articolo del costruttore | A180RM |
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Numero di parte futuro | FT-A180RM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
A180RM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard, Reverse Polarity |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20mA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-205AA, DO-8, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-205AA (DO-8) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A180RM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | A180RM-FT |
1N3293R
Microsemi Corporation
1N3294
Microsemi Corporation
1N3294R
Microsemi Corporation
1N3295
Microsemi Corporation
1N3295R
Microsemi Corporation
1N3296
Microsemi Corporation
1N3296R
Microsemi Corporation
1N3673
Microsemi Corporation
1N4506
Microsemi Corporation
1N4507
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel