casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N3296R
codice articolo del costruttore | 1N3296R |
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Numero di parte futuro | FT-1N3296R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N3296R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3296R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3296R-FT |
5821SMG/TR13
Microsemi Corporation
5821SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
JAN1N5806URS
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCU1
Microsemi Corporation
TSS0340L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS40L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS42L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS43L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS54L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel