codice articolo del costruttore | 1N3673 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3673 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N3673 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3673 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3673-FT |
5821SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
JAN1N5806URS
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCU1
Microsemi Corporation
TSS0340L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS40L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS42L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS43L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS54L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS70L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel