codice articolo del costruttore | 1N4507 |
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Numero di parte futuro | FT-1N4507 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N4507 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4507 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4507-FT |
JAN1N5806URS
Microsemi Corporation
JAN1N7039CCU1
Microsemi Corporation
TSS0340L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS40L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS42L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS43L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS54L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS70L RWG
Taiwan Semiconductor Corporation
VS-60HFU-200
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-SD453N25S20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel