casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / 2SK2887TL
codice articolo del costruttore | 2SK2887TL |
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Numero di parte futuro | FT-2SK2887TL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SK2887TL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 1.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 20W (Tc) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | CPT3 |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SK2887TL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SK2887TL-FT |
RUE003N02TL
Rohm Semiconductor
RUE002N02TL
Rohm Semiconductor
RTE002P02TL
Rohm Semiconductor
RSE002P03TL
Rohm Semiconductor
RUE002N05TL
Rohm Semiconductor
RS3E075ATTB
Rohm Semiconductor
RW1A030APT2CR
Rohm Semiconductor
RW1E025RPT2CR
Rohm Semiconductor
ES6U1T2R
Rohm Semiconductor
ES6U2T2R
Rohm Semiconductor
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel