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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O,F(J
- Numero parte MFG
- 2SA965-O,F(J
- quantità disponibile
- 30440 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Breve descrizione
- - TRANS PNP 800MA 120V TO226-3
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- 2SA965-O,F(J.pdf
2SA965-O,F(J specificazioni
| codice articolo del costruttore | 2SA965-O,F(J |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-2SA965-O,F(J |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| 2SA965-O,F(J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Potenza - Max | 900mW |
| Frequenza - Transizione | 120MHz |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LSTM |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| 2SA965-O,F(J Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | 2SA965-O,F(J-FT |
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