casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SB1457(T6CNO,A,F)
codice articolo del costruttore | 2SB1457(T6CNO,A,F) |
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Numero di parte futuro | FT-2SB1457(T6CNO,A,F) |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SB1457(T6CNO,A,F) Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SB1457(T6CNO,A,F) Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SB1457(T6CNO,A,F)-FT |
BC857CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC857CWH6433XTMA1
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
EP1C3T144I7N
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XC3042-100PQ100C
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XC3S400AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
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XC5VFX70T-1FF1136CES
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