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Toshiba Semiconductor and Storage 2SA965-O(TE6,F,M)

Name: 2SA965-O(TE6,F,M)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SA965-O(TE6,F,M)
Availability: InStock
Rating: 4.6 (102 reviews)

Numero parte MFG: 2SA965-O(TE6,F,M)

quantità disponibile: 99630 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione: - TRANS PNP 800MA 120V TO226-3

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - Bipolar (BJT) - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: 2SA965-O(TE6,F,M).pdf

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2SA965-O(TE6,F,M) specificazioni

codice articolo del costruttore	2SA965-O(TE6,F,M)
Numero di parte futuro	FT-2SA965-O(TE6,F,M)
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2SA965-O(TE6,F,M) Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Transistor Type	PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 100mA, 5V
Potenza - Max	900mW
Frequenza - Transizione	120MHz
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore	LSTM
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SA965-O(TE6,F,M) Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	2SA965-O(TE6,F,M)-FT

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