casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SA949-Y(T6SHRP,FM
codice articolo del costruttore | 2SA949-Y(T6SHRP,FM |
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Numero di parte futuro | FT-2SA949-Y(T6SHRP,FM |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SA949-Y(T6SHRP,FM Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 1mA, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 800mW |
Frequenza - Transizione | 120MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92MOD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SA949-Y(T6SHRP,FM Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SA949-Y(T6SHRP,FM-FT |
BC848CWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC848CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC849CWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC849CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC850BWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC850BWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC850CWE6327HTSA1
Infineon Technologies
BC850CWH6327XTSA1
Infineon Technologies
BC856BWE6327BTSA1
Infineon Technologies
BC857BWE6327BTSA1
Infineon Technologies
M2GL010S-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
Intel
5SGXEA3K2F40C2N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC7K325T-2FB900I
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40I2LG
Intel
EP20K100QC240-1
Intel
EP20K60EQI208-2X
Intel