casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2SC3328-Y,HOF(M
codice articolo del costruttore | 2SC3328-Y,HOF(M |
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Numero di parte futuro | FT-2SC3328-Y,HOF(M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2SC3328-Y,HOF(M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 500mA, 2V |
Potenza - Max | 900mW |
Frequenza - Transizione | 100MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Pacchetto dispositivo fornitore | LSTM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2SC3328-Y,HOF(M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2SC3328-Y,HOF(M-FT |
2SA949-Y(JVC1,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6JVC1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6ONK1,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(T6SHRP,FM
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y,ONK-1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA949-Y,ONK-1F(M
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage
EP2C8T144I8
Intel
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel