casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / 2N7002DW-TP
codice articolo del costruttore | 2N7002DW-TP |
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Numero di parte futuro | FT-2N7002DW-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N7002DW-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 115mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Potenza - Max | 200mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N7002DW-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N7002DW-TP-FT |
EFC6601R-A-TR
ON Semiconductor
EFC6602R-A-TR
ON Semiconductor
EFC6602R-TR
ON Semiconductor
EFC6605R-TR
ON Semiconductor
MCH6660-TL-W
ON Semiconductor
MCH6601-TL-E
ON Semiconductor
MCH6602-TL-E
ON Semiconductor
MCH6603-TL-H
ON Semiconductor
MCH6604-TL-E
ON Semiconductor
MCH6605-TL-E
ON Semiconductor
XC6SLX9-L1TQG144I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-2TQ144
Microsemi Corporation
XC2S100-6PQG208C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX10DF672C6
Intel
EP4CE15F23C6N
Intel
EP3SL340F1517C3N
Intel
5CEBA4U19C7N
Intel
EP20K1000EBC652-1
Intel