casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / EFC6602R-A-TR
codice articolo del costruttore | EFC6602R-A-TR |
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Numero di parte futuro | FT-EFC6602R-A-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EFC6602R-A-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFBGA, FCBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | EFCP2718-6CE-020 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFC6602R-A-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EFC6602R-A-TR-FT |
NVMFD5483NLWFT3G
ON Semiconductor
NVMFD5C446NWFT1G
ON Semiconductor
NVMFD5C470NLT1G
ON Semiconductor
NVMFD5C680NLT1G
ON Semiconductor
NTMFD5C466NLT1G
ON Semiconductor
NTMFD5C470NLT1G
ON Semiconductor
NTMFD5C650NLT1G
ON Semiconductor
NVMFD5852NLT1G
ON Semiconductor
NVMFD5852NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFD5C672NLWFT1G
ON Semiconductor
A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
Intel
EP4CE30F23A7N
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel