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ON Semiconductor EFC6601R-A-TR
- Numero parte MFG
- EFC6601R-A-TR
- quantità disponibile
- 62800 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
- Il nostro prezzo
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - MOSFET 2N-CH EFCP
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- EFC6601R-A-TR.pdf
EFC6601R-A-TR specificazioni
| codice articolo del costruttore | EFC6601R-A-TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-EFC6601R-A-TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| EFC6601R-A-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-XFBGA, FCBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EFCP2718-6CE-020 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EFC6601R-A-TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | EFC6601R-A-TR-FT |
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