codice articolo del costruttore | 2N6431 |
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Numero di parte futuro | FT-2N6431 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N6431 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 30mA, 10V |
Potenza - Max | 1.8W |
Frequenza - Transizione | 50MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N6431 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N6431-FT |
JANTXV2N3507L
Microsemi Corporation
JANTXV2N3715
Microsemi Corporation
JANTXV2N3766
Microsemi Corporation
JANTXV2N3867S
Microsemi Corporation
JANTXV2N3868
Microsemi Corporation
JANTXV2N3879
Microsemi Corporation
JANTXV2N3902
Microsemi Corporation
JANTXV2N3998
Microsemi Corporation
JANTXV2N3999
Microsemi Corporation
JANTXV2N4234
Microsemi Corporation
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP1S25F672C7N
Intel
10AX027H3F34I2LG
Intel
5SGXEA7H3F35C2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation