casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3999
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3999 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3999 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/374 |
JANTXV2N3999 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3999 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3999-FT |
JAN2N5339
Microsemi Corporation
JAN2N5415S
Microsemi Corporation
JAN2N5664
Microsemi Corporation
JAN2N5665
Microsemi Corporation
JAN2N5666
Microsemi Corporation
JAN2N5667
Microsemi Corporation
JAN2N5680
Microsemi Corporation
JAN2N5681
Microsemi Corporation
JAN2N5682
Microsemi Corporation
JAN2N6052
Microsemi Corporation
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel