casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / JANTXV2N3998
codice articolo del costruttore | JANTXV2N3998 |
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Numero di parte futuro | FT-JANTXV2N3998 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/374 |
JANTXV2N3998 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
Potenza - Max | 2W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | TO-210AA, TO-59-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-59 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANTXV2N3998 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANTXV2N3998-FT |
JAN2N5238S
Microsemi Corporation
JAN2N5339
Microsemi Corporation
JAN2N5415S
Microsemi Corporation
JAN2N5664
Microsemi Corporation
JAN2N5665
Microsemi Corporation
JAN2N5666
Microsemi Corporation
JAN2N5667
Microsemi Corporation
JAN2N5680
Microsemi Corporation
JAN2N5681
Microsemi Corporation
JAN2N5682
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50F672C7N
Intel
EP3C5U256C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2N
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC2V8000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C3
Intel
EP1C4F400I7N
Intel