codice articolo del costruttore | 2N5427 |
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Numero di parte futuro | FT-2N5427 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N5427 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 7A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 7A, 80V |
Potenza - Max | 40W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-213AA, TO-66-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-66 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5427 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N5427-FT |
2N1613A
Microsemi Corporation
2N1700
Microsemi Corporation
2N1702
Microsemi Corporation
2N2221AL
Microsemi Corporation
2N2222AE3
Microsemi Corporation
2N2369
ON Semiconductor
2N2369AUA
Microsemi Corporation
2N2369AUB
Microsemi Corporation
2N2432A
Microsemi Corporation
2N2481
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225I
Xilinx Inc.
XC3S200-4PQ208C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208
Microsemi Corporation
A1020B-1PLG68I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C3N
Intel
5SGXMA5H2F35C1N
Intel
LFE3-17EA-7LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C12F324I7
Intel
EPF10K100ARC240-3N
Intel