casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N2222AE3
codice articolo del costruttore | 2N2222AE3 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2222AE3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2222AE3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | 500mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2222AE3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2222AE3-FT |
2N6191
Microsemi Corporation
2N6193U3
Microsemi Corporation
2N6212
Microsemi Corporation
2N6213
Microsemi Corporation
2N6233
Microsemi Corporation
2N6235
Microsemi Corporation
2N6249
Microsemi Corporation
2N6249T1
Microsemi Corporation
2N6250
Microsemi Corporation
2N6251
Microsemi Corporation
EP2C8T144I8
Intel
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-3CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FG400I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-7LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-2
Intel
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
EPF6016QC208-3
Intel