casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / 2N2369AUA
codice articolo del costruttore | 2N2369AUA |
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Numero di parte futuro | FT-2N2369AUA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2369AUA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 400nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2369AUA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2369AUA-FT |
2N6212
Microsemi Corporation
2N6213
Microsemi Corporation
2N6233
Microsemi Corporation
2N6235
Microsemi Corporation
2N6249
Microsemi Corporation
2N6249T1
Microsemi Corporation
2N6250
Microsemi Corporation
2N6251
Microsemi Corporation
2N6251T1
Microsemi Corporation
2N6274
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation