codice articolo del costruttore | 2N2369 |
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Numero di parte futuro | FT-2N2369 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2369 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
Potenza - Max | 360mW |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2369 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2369-FT |
2N6193U3
Microsemi Corporation
2N6212
Microsemi Corporation
2N6213
Microsemi Corporation
2N6233
Microsemi Corporation
2N6235
Microsemi Corporation
2N6249
Microsemi Corporation
2N6249T1
Microsemi Corporation
2N6250
Microsemi Corporation
2N6251
Microsemi Corporation
2N6251T1
Microsemi Corporation
EX64-PTQG100I
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P250-PQG208
Microsemi Corporation
10M40DCF256A7G
Intel
EP3SL340F1517C3
Intel
XC6VLX365T-1FFG1759C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FG144
Microsemi Corporation
LFEC33E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153I7G
Intel