codice articolo del costruttore | 2N2919A |
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Numero di parte futuro | FT-2N2919A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
2N2919A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10µA, 5V |
Potenza - Max | 600mW |
Frequenza - Transizione | 60MHz |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N2919A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 2N2919A-FT |
EMT52T2R
Rohm Semiconductor
EMX51T2R
Rohm Semiconductor
EMZ52T2R
Rohm Semiconductor
ZXTC6717MCTA
Diodes Incorporated
2N3810
Microsemi Corporation
STA322A
Sanken
JANSR2N3810U
Microsemi Corporation
JAN2N2060L
Microsemi Corporation
JAN2N2919L
Microsemi Corporation
JAN2N2919U
Microsemi Corporation
A3PN015-QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S400A-4FG320C
Xilinx Inc.
XC3S200A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC4008E-2PQ208C
Xilinx Inc.
LIF-MD6000-6JMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-PLG68C
Microsemi Corporation
XC6VLX130T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-2TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-1N
Intel