casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMZ52T2R
codice articolo del costruttore | EMZ52T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMZ52T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMZ52T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA, 400mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 350MHz, 300MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMZ52T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMZ52T2R-FT |
BCM856BSH
Nexperia USA Inc.
PMBT3906YS,115
Nexperia USA Inc.
PMBT3946YPN,125
Nexperia USA Inc.
PMP4501Y,115
Nexperia USA Inc.
PMP4501Y,135
Nexperia USA Inc.
PMP5201Y,135
Nexperia USA Inc.
PMP5501Y,115
Nexperia USA Inc.
PMP5501Y,135
Nexperia USA Inc.
PUMX2,115
Nexperia USA Inc.
PUMX2,125
Nexperia USA Inc.
LCMXO640C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
10CX220YU484I5G
Intel
5SGXEA9K2H40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U1F45E1SG
Intel