casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / EMX51T2R
codice articolo del costruttore | EMX51T2R |
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Numero di parte futuro | FT-EMX51T2R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMX51T2R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 2V |
Potenza - Max | 150mW |
Frequenza - Transizione | 400MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMX51T2R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EMX51T2R-FT |
BCM846BSX
Nexperia USA Inc.
BCM856BSH
Nexperia USA Inc.
PMBT3906YS,115
Nexperia USA Inc.
PMBT3946YPN,125
Nexperia USA Inc.
PMP4501Y,115
Nexperia USA Inc.
PMP4501Y,135
Nexperia USA Inc.
PMP5201Y,135
Nexperia USA Inc.
PMP5501Y,115
Nexperia USA Inc.
PMP5501Y,135
Nexperia USA Inc.
PUMX2,115
Nexperia USA Inc.
XCV50-5FG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FGG484I
Xilinx Inc.
AGLN060V5-CSG81
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F40C1N
Intel
5SGSMD3E2H29C1N
Intel
10AX048K4F35I3SG
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
A54SX32A-BGG329M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPL84
Microsemi Corporation