casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / JAN2N2919L
Microsemi Corporation JAN2N2919L
- Numero parte MFG
- JAN2N2919L
- quantità disponibile
- 41030 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 30.56704
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Microsemi Corporation
- Breve descrizione
- Military, MIL-PRF-19500/355 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- JAN2N2919L.pdf
JAN2N2919L specificazioni
| codice articolo del costruttore | JAN2N2919L |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-JAN2N2919L |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | Military, MIL-PRF-19500/355 |
| JAN2N2919L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Potenza - Max | 350mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-78-6 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-78-6 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| JAN2N2919L Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | JAN2N2919L-FT |
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