casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4007-N-2-3-AP
codice articolo del costruttore | 1N4007-N-2-3-AP |
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Numero di parte futuro | FT-1N4007-N-2-3-AP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4007-N-2-3-AP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4007-N-2-3-AP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4007-N-2-3-AP-FT |
1N5416US
Microsemi Corporation
1N5331
Microsemi Corporation
1N4608
Microsemi Corporation
1N4607
Microsemi Corporation
JAN1N6761UR-1
Microsemi Corporation
JANS1N6761UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N6761UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6761UR-1
Microsemi Corporation
UF5407-TP
Micro Commercial Co
SR5010-TP
Micro Commercial Co
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation