codice articolo del costruttore | 1N4608 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N4608 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4608 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 85V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 400mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 10ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4608 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4608-FT |
MS105E3/TR8
Microsemi Corporation
MS106/TR12
Microsemi Corporation
MS106/TR8
Microsemi Corporation
MS106E3/TR12
Microsemi Corporation
MS106E3/TR8
Microsemi Corporation
MS108/TR12
Microsemi Corporation
MS108/TR8
Microsemi Corporation
MS108E3/TR12
Microsemi Corporation
MS108E3/TR8
Microsemi Corporation
MS109/TR12
Microsemi Corporation
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel