codice articolo del costruttore | 1N5331 |
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Numero di parte futuro | FT-1N5331 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N5331 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 22A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 30A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AA, DO-4, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-4 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 200°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5331 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5331-FT |
MS105E3/TR12
Microsemi Corporation
MS105E3/TR8
Microsemi Corporation
MS106/TR12
Microsemi Corporation
MS106/TR8
Microsemi Corporation
MS106E3/TR12
Microsemi Corporation
MS106E3/TR8
Microsemi Corporation
MS108/TR12
Microsemi Corporation
MS108/TR8
Microsemi Corporation
MS108E3/TR12
Microsemi Corporation
MS108E3/TR8
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel