casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / JANS1N6761UR-1
codice articolo del costruttore | JANS1N6761UR-1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-JANS1N6761UR-1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Military, MIL-PRF-19500/586 |
JANS1N6761UR-1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 380mV @ 100mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB (MELF, LL41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JANS1N6761UR-1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | JANS1N6761UR-1-FT |
MS106E3/TR12
Microsemi Corporation
MS106E3/TR8
Microsemi Corporation
MS108/TR12
Microsemi Corporation
MS108/TR8
Microsemi Corporation
MS108E3/TR12
Microsemi Corporation
MS108E3/TR8
Microsemi Corporation
MS109/TR12
Microsemi Corporation
MS109/TR8
Microsemi Corporation
MS109E3/TR12
Microsemi Corporation
MS109E3/TR8
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel