casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N4007-N-2-1-BP
codice articolo del costruttore | 1N4007-N-2-1-BP |
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Numero di parte futuro | FT-1N4007-N-2-1-BP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N4007-N-2-1-BP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N4007-N-2-1-BP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N4007-N-2-1-BP-FT |
1N5418
Microsemi Corporation
1N5417US
Microsemi Corporation
1N5416US
Microsemi Corporation
1N5331
Microsemi Corporation
1N4608
Microsemi Corporation
1N4607
Microsemi Corporation
JAN1N6761UR-1
Microsemi Corporation
JANS1N6761UR-1
Microsemi Corporation
JANTX1N6761UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6761UR-1
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196Q
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
XC4010XL-09BG256C
Xilinx Inc.
XC2V3000-6FFG1152C
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C7N
Intel
10AX115U4F45I3SG
Intel