casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N1202B
codice articolo del costruttore | 1N1202B |
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Numero di parte futuro | FT-1N1202B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
1N1202B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N1202B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N1202B-FT |
LSM120G/TR13
Microsemi Corporation
LSM120GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM120JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM130G/TR13
Microsemi Corporation
LSM130GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM130JE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM140G/TR13
Microsemi Corporation
LSM140GE3/TR13
Microsemi Corporation
LSM150G/TR13
Microsemi Corporation
LSM150GE3/TR13
Microsemi Corporation
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel