casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSM120G/TR13
codice articolo del costruttore | LSM120G/TR13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-LSM120G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
LSM120G/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | - |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Velocità | - |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSM120G/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSM120G/TR13-FT |
CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG07(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRG09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS14(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel