casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSM150GE3/TR13
codice articolo del costruttore | LSM150GE3/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-LSM150GE3/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LSM150GE3/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AA, SMB Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSM150GE3/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSM150GE3/TR13-FT |
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D901S45T
Infineon Technologies
D911SH45T
Infineon Technologies
DZ540N26KS01
Infineon Technologies
HSM1100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM1100GE3/TR13
Microsemi Corporation
HSM1100JE3/TR13
Microsemi Corporation
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel