casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSM150G/TR13
codice articolo del costruttore | LSM150G/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-LSM150G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LSM150G/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AA, SMB Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSM150G/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSM150G/TR13-FT |
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D901S45T
Infineon Technologies
D911SH45T
Infineon Technologies
DZ540N26KS01
Infineon Technologies
HSM1100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM1100GE3/TR13
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
XC5VLX220T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-3FF1927E
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQG176
Microsemi Corporation
5CGXBC9E7F31C8N
Intel
EP2AGX45CU17C5
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel