casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / LSM150G/TR13
codice articolo del costruttore | LSM150G/TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-LSM150G/TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
LSM150G/TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1mA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-215AA, SMB Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSM150G/TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | LSM150G/TR13-FT |
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage
D901S45T
Infineon Technologies
D911SH45T
Infineon Technologies
DZ540N26KS01
Infineon Technologies
HSM1100G/TR13
Microsemi Corporation
HSM1100GE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel