casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ZXTDC3M832TA
codice articolo del costruttore | ZXTDC3M832TA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTDC3M832TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTDC3M832TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 25nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 165MHz, 190MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTDC3M832TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTDC3M832TA-FT |
IMX9T110
Rohm Semiconductor
BCM53DSF
Nexperia USA Inc.
BC846DS,115
Nexperia USA Inc.
IMT2AT108
Rohm Semiconductor
IMT4T108
Rohm Semiconductor
PBSS4160DPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4160DSH
Nexperia USA Inc.
PBSS5160DS,115
Nexperia USA Inc.
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
5SGXMA7N3F45C3N
Intel
5SGXMB5R3F43C2LN
Intel
A42MX16-1TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34E2LG
Intel
EP20K300EBC652-2X
Intel