casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ZXTDC3M832TA
codice articolo del costruttore | ZXTDC3M832TA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXTDC3M832TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXTDC3M832TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 4A, 3A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 40V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 25nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V |
Potenza - Max | 1W |
Frequenza - Transizione | 165MHz, 190MHz |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MLP (3x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXTDC3M832TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXTDC3M832TA-FT |
IMX9T110
Rohm Semiconductor
BCM53DSF
Nexperia USA Inc.
BC846DS,115
Nexperia USA Inc.
IMT2AT108
Rohm Semiconductor
IMT4T108
Rohm Semiconductor
PBSS4160DPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4160DSH
Nexperia USA Inc.
PBSS5160DS,115
Nexperia USA Inc.
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
XC6SLX150-3FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C6
Intel
10M08DFV81C8G
Intel
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
10AX066N2F40I2SG
Intel
EP20K200EQC240-3N
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel