casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / PBSS4160DPN,115
codice articolo del costruttore | PBSS4160DPN,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBSS4160DPN,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBSS4160DPN,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 870mA, 770mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100mA, 1A / 330mV @ 100mA, 1A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V |
Potenza - Max | 420mW |
Frequenza - Transizione | 220MHz, 185MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBSS4160DPN,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBSS4160DPN,115-FT |
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
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FFB2907A
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XC6SLX9-2TQG144I
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XC3S400-5FT256C
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M2GL090TS-FCSG325I
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10CL040YF484I7G
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5SGXMA5N1F40C1N
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M1AGL250V2-FG144
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