casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMX9T110
codice articolo del costruttore | IMX9T110 |
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Numero di parte futuro | FT-IMX9T110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMX9T110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 560 @ 10mA, 3V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 350MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX9T110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMX9T110-FT |
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CPH6501-TL-E
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HN4C06J-BL(TE85L,F
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FFB2907A
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FFB5551
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BC847S
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XC3S50-5TQG144C
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XC6SLX75T-N3CSG484I
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5SGXMA5K2F40C3N
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Lattice Semiconductor Corporation
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