casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / IMX9T110
codice articolo del costruttore | IMX9T110 |
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Numero di parte futuro | FT-IMX9T110 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IMX9T110 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Not For New Designs |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 560 @ 10mA, 3V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 350MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMX9T110 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IMX9T110-FT |
TPC6901(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
CPH6501-TL-E
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HN4C06J-BL(TE85L,F
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FFB2907A
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FFB5551
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XP0640100L
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FFB2227A
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BC847BS
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BC847S
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XC6SLX4-L1TQG144I
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XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240I
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EP1C3T100I7N
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A42MX16-2VQG100
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EP3C16U484C6
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XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C7
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EPF10K100EQI240-3
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