casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXMP3F35N8TA
codice articolo del costruttore | ZXMP3F35N8TA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXMP3F35N8TA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXMP3F35N8TA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMP3F35N8TA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXMP3F35N8TA-FT |
IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R060C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R099C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R120C7ATMA1
Infineon Technologies
IPB60R180C7ATMA1
Infineon Technologies
DMG4466SSS-13
Diodes Incorporated
DMP4025LSS-13
Diodes Incorporated
DMP4050SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSS-13
Diodes Incorporated
DMP4015SSSQ-13
Diodes Incorporated
LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel