casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPB60R099C7ATMA1
codice articolo del costruttore | IPB60R099C7ATMA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPB60R099C7ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ C7 |
IPB60R099C7ATMA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 22A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1819pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
Pacchetto / caso | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R099C7ATMA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPB60R099C7ATMA1-FT |
DMN10H170SK3-13
Diodes Incorporated
DMP4010SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4007SK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN6A09KTC
Diodes Incorporated
DMP4015SK3-13
Diodes Incorporated
DMPH6023SK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
DMN4040SK3-13
Diodes Incorporated
DMP4047SK3-13
Diodes Incorporated
DMP6180SK3-13
Diodes Incorporated
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel