casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN4800LSS-13
codice articolo del costruttore | DMN4800LSS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN4800LSS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN4800LSS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.47nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.46W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN4800LSS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN4800LSS-13-FT |
DMTH4007LK3-13
Diodes Incorporated
DMN4040SK3-13
Diodes Incorporated
DMP4047SK3-13
Diodes Incorporated
DMP6180SK3-13
Diodes Incorporated
DMP6180SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMT6009LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN10A25KTC
Diodes Incorporated
ZXMP4A16KTC
Diodes Incorporated
DMN10H100SK3-13
Diodes Incorporated
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel