casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXMN6A09KQTC
codice articolo del costruttore | ZXMN6A09KQTC |
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Numero di parte futuro | FT-ZXMN6A09KQTC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ZXMN6A09KQTC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1426pF @ 30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 10.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXMN6A09KQTC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXMN6A09KQTC-FT |
DMN26D0UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2005LP4K-7
Diodes Incorporated
DMN2990UFA-7B
Diodes Incorporated
DMN32D2LFB4-7
Diodes Incorporated
DMN3730UFB4-7
Diodes Incorporated
DMP22D4UFA-7B
Diodes Incorporated
DMN2320UFB4-7B
Diodes Incorporated
DMN2500UFB4-7
Diodes Incorporated
DMN2501UFB4-7
Diodes Incorporated
DMP21D5UFB4-7B
Diodes Incorporated
XC2VP4-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
Intel
EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel