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Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7

Name: DMN2501UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2501UFB4-7
Price: 0.0872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (563 reviews)

Numero parte MFG: DMN2501UFB4-7

quantità disponibile: 47880 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.0872

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fabbricante: Diodes Incorporated

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 20V 1A 3DFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DMN2501UFB4-7.pdf

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DMN2501UFB4-7 specificazioni

codice articolo del costruttore	DMN2501UFB4-7
Numero di parte futuro	FT-DMN2501UFB4-7
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMN2501UFB4-7 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	82pF @ 16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	X2-DFN1006-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2501UFB4-7 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DMN2501UFB4-7-FT

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