casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN3730UFB4-7
codice articolo del costruttore | DMN3730UFB4-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN3730UFB4-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3730UFB4-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 750mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 460 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 64.3pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 470mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN1006-3 |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3730UFB4-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN3730UFB4-7-FT |
DMN61D8L-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LQ-13
Diodes Incorporated
DMN61D8LQ-7
Diodes Incorporated
DMN61D9U-13
Diodes Incorporated
DMN63D8L-13
Diodes Incorporated
DMN67D8L-13
Diodes Incorporated
DMP1045U-7
Diodes Incorporated
MMBF170Q-13-F
Diodes Incorporated
DMG2301LK-7
Diodes Incorporated
DMN2024U-7
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel