casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZXM64P02XTA
codice articolo del costruttore | ZXM64P02XTA |
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Numero di parte futuro | FT-ZXM64P02XTA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZXM64P02XTA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.9nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.1W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-MSOP |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZXM64P02XTA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZXM64P02XTA-FT |
DMP3026SFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2039UFDE4-7
Diodes Incorporated
ZVN3320ASTOA
Diodes Incorporated
ZVP2120ASTZ
Diodes Incorporated
DMTH10H015LK3-13
Diodes Incorporated
DMNH3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH6021SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMTH4004LK3Q-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel