casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZVP2120ASTZ
codice articolo del costruttore | ZVP2120ASTZ |
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Numero di parte futuro | FT-ZVP2120ASTZ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVP2120ASTZ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVP2120ASTZ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZVP2120ASTZ-FT |
DMG4496SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4710SSS-13
Diodes Incorporated
DMN2009LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMN3010LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3018SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSL-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2022LSSQ-13
Diodes Incorporated
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel