casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMP2039UFDE4-7
codice articolo del costruttore | DMP2039UFDE4-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMP2039UFDE4-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMP2039UFDE4-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 6.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28.2nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 690mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DFN2020 (2x2) |
Pacchetto / caso | 6-PowerXDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMP2039UFDE4-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMP2039UFDE4-7-FT |
DMG4413LSS-13
Diodes Incorporated
DMG4466SSSL-13
Diodes Incorporated
DMG4496SSS-13
Diodes Incorporated
DMG4710SSS-13
Diodes Incorporated
DMN2009LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3007LSSQ-13
Diodes Incorporated
DMN3010LSS-13
Diodes Incorporated
DMN3018SSS-13
Diodes Incorporated
DMN4800LSSL-13
Diodes Incorporated
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel