casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN4800LSSQ-13
codice articolo del costruttore | DMN4800LSSQ-13 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DMN4800LSSQ-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN4800LSSQ-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8.6A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 798pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.46W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN4800LSSQ-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN4800LSSQ-13-FT |
ZXMP6A18KTC
Diodes Incorporated
DMN10H170SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH10H028SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH4011SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMP3028LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMP4010SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMP4015SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMPH3010LK3Q-13
Diodes Incorporated
DMPH6023SK3Q-13
Diodes Incorporated
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation