casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN2009LSS-13
codice articolo del costruttore | DMN2009LSS-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2009LSS-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2009LSS-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2555pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2009LSS-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2009LSS-13-FT |
DMTH6005LK3-13
Diodes Incorporated
DMTH6010SK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN15A27KTC
Diodes Incorporated
ZXMN20B28KTC
Diodes Incorporated
ZXMN7A11KTC
Diodes Incorporated
ZXMP10A16KTC
Diodes Incorporated
ZXMP6A18KTC
Diodes Incorporated
DMN10H170SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH10H028SK3Q-13
Diodes Incorporated
DMNH4006SK3Q-13
Diodes Incorporated
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation