casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / ZVN4306ASTOB
codice articolo del costruttore | ZVN4306ASTOB |
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Numero di parte futuro | FT-ZVN4306ASTOB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ZVN4306ASTOB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 330 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 850mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | E-Line (TO-92 compatible) |
Pacchetto / caso | E-Line-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ZVN4306ASTOB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ZVN4306ASTOB-FT |
TN0604N3-G-P013
Microchip Technology
TN0610N3-G-P003
Microchip Technology
TN0610N3-G-P013
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TN2540N3-G-P002
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TP2104N3-G-P003
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VN10KN3-G-P003
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A3PE600-2FGG484I
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel