casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / VN10KN3-G-P003
codice articolo del costruttore | VN10KN3-G-P003 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-VN10KN3-G-P003 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VN10KN3-G-P003 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 310mA (Tj) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VN10KN3-G-P003 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VN10KN3-G-P003-FT |
ZVP2110ASTZ
Diodes Incorporated
VN10LP
Diodes Incorporated
ZVP2110A
Diodes Incorporated
ZVP2106ASTZ
Diodes Incorporated
ZVN3310A
Diodes Incorporated
ZVN4206AV
Diodes Incorporated
VN2222LL-G
Microchip Technology
VP2106N3-G
Microchip Technology
2N7000-G
Microchip Technology
ZVN4210A
Diodes Incorporated
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel